• 专利申请
    2016-10-28
  • 公布公告
    2018-11-30
  • 授权日期
    2018-11-30
  • 终止
    2028-11-27
一种聚吡咯膜的制备方法及其超级电容性能
一种聚吡咯膜的制备方法及其超级电容性能
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201610967270.9 2016-10-28 C08L79/04 {{ classMap["C08L79/04"] }}
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山东省济南市长清区大学路西部新城大学科技园
专利分类项目

C08L79/04 : 在主链中具有含氮杂环的缩聚物；聚酰肼；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺母体

C08J5/18 : 薄膜或片材的制造

H01G11/48 : 导电聚合物

专利注册信息
初审公告期号 2016-10-28 初审公告日期 2018-11-30
注册公告期号 2018-11-30 注册公告日期 2018-11-30
专用权期限 2018-11-30 - 2028-11-27 专利类型 发明授权
代理组织机构 --
专利介绍
本发明涉及一种聚吡咯膜及其制备方法和应用，所述聚吡咯膜在波长为320、440、463和540 nm处有吸收峰；所述聚吡咯膜的红外光谱的特征吸收，为1545 cm–1、1466 cm–1、1305 cm–1、1182 cm–1、1092 cm–1、1043 cm–1、915 cm–1、787 cm–1、和678 cm–1。本发明还提供所述聚吡咯膜的制备方法。聚吡咯膜的用途，用于工作电极和超级电容器。本发明所合成的大尺寸、自持聚吡咯薄膜，不仅适合于研究聚吡咯膜的力学、电子学和光学等基本物化性质；而且方便裁剪，适用于组装柔性超级电容器或电池。
法律进度

  • 2021-01-12 专利权的转移 登记生效日: 2020.12.30 专利权人由齐鲁工业大学变更为蚌埠弘景科技有限公司 地址由250353 山东 ...

  • 2018-11-30 授权 ...

  • 2017-03-15 实质审查的生效 IPC(主分类): C08L 79/04 专利申请号: 201610967270.9 申请日: 2016. ...

  • 2017-02-15 公开 ...

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