采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线[CN201610990082.8] - 哈尔滨工业大学

专利申请

2016-11-10
公布公告

2017-01-11
授权日期

2019-04-16
终止

2027-01-09

采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201610990082.8 申请日期： 2016-11-10 专利主类别： H01Q1/36 {{ classMap["H01Q1/36"] }}

申请人名称：哈尔滨工业大学

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申请人地址：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利分类项目

H01Q1/36 : 辐射单元的结构形式，例如锥形、螺旋形、伞形

H01Q1/38 : 在绝缘支架上由导电层构成的

H01Q1/50 : 天线与接地开关、引入装置或避雷器的结构联结

H01Q13/08 : 双导线微波传输线的辐射终端，例如同轴线的、微带传输线的

专利注册信息

初审公告期号	2016-11-10	初审公告日期	2017-01-11
注册公告期号	2019-04-16	注册公告日期	2019-04-16
专用权期限	2017-01-11 - 2027-01-09	专利类型	发明公开
代理组织机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线，涉及天线领域。本发明是为了解决在保留传统平衡对拓维瓦尔第天线低交叉极化的优点的同时，解决传统平衡维瓦尔第天线的非对称性，所导致天线E面主瓣偏移的问题。每层地板金属层附着在1层介质基板层的下表面，导体金属层附着在位于下层的介质基板层的上表面，导体金属层和地板金属层分别向两侧延展形成金属臂，地板金属层金属臂与导体金属层金属臂成对称结构，金属臂的外侧和内侧均形成曲线结构，剔除位于导体金属层的内侧曲线和下层地板金属层的内侧曲线之间的下层介质基板层，且剔除后的下层介质基板层比地板金属层的内侧曲线多出一段介质。它用于工作在10-40GHz的工作频率内。

法律进度