• 专利申请
    2019-12-31
  • 公布公告
    2022-02-15
  • 授权日期
    2022-02-15
  • 终止
    2032-02-13
一种芯片的双重自毁装置
一种芯片的双重自毁装置
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN201911413777.X 2019-12-31 G06F21/78 {{ classMap["G06F21/78"] }}
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湖南省长沙市长沙高新开发区麓谷大道627号海创科技工业园B-1栋加速器生产车间805房
专利分类项目

G06F21/78 : 确保数据存储的安全

B02C1/14 : 捣磨机

B02C23/00 : 辅助方法或辅助装置或附件——未包含B02C 1/00至B02C 21/00组中的专门适用于破碎或粉碎的，或者不是专门适用于仅包含在B02C 1/00至B02C 21/00某一组中的装置的

专利注册信息
初审公告期号 2019-12-31 初审公告日期 2022-02-15
注册公告期号 2022-02-15 注册公告日期 2022-02-15
专用权期限 2022-02-15 - 2032-02-13 专利类型 发明授权
代理组织机构 长沙大珂知识产权代理事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明公开了一种芯片的双重自毁装置，包括固定位于芯片上方的施压块，所述施压块的下端设置用于引发芯片机械自毁的机械破坏尖点和用于引发芯片烧毁的自燃引点，本自毁装置中设置两种芯片自毁功能，施压弹簧被压缩后伸展，给施压块向下的压力，机械破坏尖点会压向芯片进行机械自毁，而自燃引点会砸开密封板，引燃室进入空气，同时自燃引点推动活动块，摩擦自燃头的摩擦面和摩擦壁相互摩擦起火，使得自燃底盒起火，芯片从底部被烧毁，本发明中可对芯片进行机械和烧毁双重自毁，保证芯片彻底被毁坏，双重自毁结构可同时启动，且不需要电能，结构简单且紧凑，自毁效果稳定。
法律进度

  • 2022-02-15 授权 ...

  • 2020-06-05 实质审查的生效 IPC(主分类): G06F 21/78 专利申请号: 201911413777.X 申请日: 2019.12 ...

  • 2020-05-12 公开 ...

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