• 专利申请
    2022-11-08
  • 公布公告
    2023-12-05
  • 授权日期
    2023-12-05
  • 终止
    2033-12-02
一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器
一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器
* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。 有效专利
CN202211389488.2 2022-11-08 G01L1/24 {{ classMap["G01L1/24"] }}
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湖北省咸宁市咸宁大道88号
专利分类项目

G01L1/24 : 通过测量材料受应力时其光学性质的变化，例如，应用光弹性应力分析

G01L11/02 : 应用光学方法的

专利注册信息
初审公告期号 2022-11-08 初审公告日期 2023-12-05
注册公告期号 2023-12-05 注册公告日期 2023-12-05
专用权期限 2023-12-05 - 2033-12-02 专利类型 发明授权
代理组织机构 武汉明正专利代理事务所 查看该机构代理的所有专利
专利介绍
本发明涉及一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器，包括结构可表示为D(AB)NC(BA)ND的一维缺陷光子晶体，其中N为正整数、用于表示空间周期数，A和B分别为折射率不同的媒质薄片，且媒质薄片A由超导材料HgBa2Ca2Cu3O8+δ制成，媒质薄片B由半导体材料GaAs制成，C为用于产生缺陷模的缺陷层，且C的材质和厚度与A、B的材质和厚度不完全一样，两个D分别为输入光波导和输出光波导，用于引导光入射和出射所述缺陷光子晶体，同时光波导D将外界压力传递到缺陷光子晶体上，形成静态压强。本发明基于特定材质及结构设计的缺陷光子晶体所得到的静态压强传感器能够对压强进行高精度测量。
法律进度

  • 2024-07-09 专利权的转移 登记生效日: 2024.06.21 专利权人由湖北科技学院变更为合肥名龙电子科技有限公司 国家或地区由中国变更 ...

  • 2023-12-05 授权 ...

  • 2023-05-23 实质审查的生效 IPC(主分类): G01L 1/24 专利申请号: 202211389488.2 申请日: 2022.11. ...

  • 2023-05-05 公开 ...

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