一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法[CN201811119443.7] - 桂林电子科技大学

专利申请

2018-09-25
公布公告

2019-02-15
授权日期

2021-04-06
终止

2029-02-12

一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN201811119443.7 申请日期： 2018-09-25 专利主类别： C04B35/495 {{ classMap["C04B35/495"] }}

申请人名称：桂林电子科技大学

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申请人地址：广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

专利分类项目

C04B35/495 : 以氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化钼或氧化钨或与其他氧化物（例如钒酸盐、铌酸盐、钽酸盐、钼酸盐或钨酸盐）的固溶体为基料的

C04B35/622 : 形成工艺；准备制造陶瓷产品的无机化合物的加工粉末

C04B35/626 : 分别或作为配合料制备或处理粉末

专利注册信息

初审公告期号	2018-09-25	初审公告日期	2019-02-15
注册公告期号	2021-04-06	注册公告日期	2021-04-06
专用权期限	2019-02-15 - 2029-02-12	专利类型	发明公开
代理组织机构	南宁启创知识产权代理事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。

法律进度