一种低烧结温度介电性能可调的微波介质陶瓷[CN202011168814.8] - 烟台大学

专利申请

2020-10-28
公布公告

2021-01-22
授权日期

2022-11-01
终止

2031-01-20

一种低烧结温度介电性能可调的微波介质陶瓷

* 专利信息仅供参考，不具有法律效力。有效专利

注册号： CN202011168814.8 申请日期： 2020-10-28 专利主类别： C04B35/495 {{ classMap["C04B35/495"] }}

申请人名称：烟台大学

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申请人地址：山东省烟台市莱山区清泉路32号

专利分类项目

C04B35/495 : 以氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化钼或氧化钨或与其他氧化物（例如钒酸盐、铌酸盐、钽酸盐、钼酸盐或钨酸盐）的固溶体为基料的

C04B35/622 : 形成工艺；准备制造陶瓷产品的无机化合物的加工粉末

C04B35/638 : 从其中除去

专利注册信息

初审公告期号	2020-10-28	初审公告日期	2021-01-22
注册公告期号	2022-11-01	注册公告日期	2022-11-01
专用权期限	2021-01-22 - 2031-01-20	专利类型	发明公开
代理组织机构	烟台双联专利事务所查看该机构代理的所有专利

专利介绍

发明公开了低烧结温度介电性能可调的微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为Pr2Ti3‑xZrxMo9O36，其中0≤x≤2.7。制备工艺包括：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排胶和烧结。本发明提供了一种新型稀土和钛的双钼酸盐微波介质陶瓷Pr2Ti3Mo9O36，并通过引入Zr4+调节了其介电性能。本发明中的微波介质陶瓷具有较低的烧结温度(650~800°C)、低介电常数(εr=10.7～16.4)、高的品质因数(Q•f＝18,700～80,700 GHz)及近零的谐振频率温度系数(τf=‑14.1～‑2.6 ppm/°C)。本发明提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中的介质谐振器、滤波器、天线等关键元器件，并使这些元器件适合更高频率下的应用。

法律进度